制造生产工艺流程(多晶硅生产工艺流程)

2022-05-19 22:54:54 投稿人 : admin 围观 : 4835 次 0 评论

  制造生产工艺流程(多晶硅生产工艺流程)

  

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  锂电池结和制造,生产工艺流程全解析详细资料概述

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  锂电池结构

  不同结构形式、不同材料的工艺相似但装备需全新配置

  锂离子电池构成主要由正极、负极、非水电解质和隔膜四部分组成。目前市场上采用较多的锂电池主要为磷酸铁锂电池和三元锂电池,二者正极原材料差异较大,生产工艺流程比较接近但工艺参数需变化巨大。若磷酸铁锂全面更换为三元材料,旧产线的整改效果不佳。对于电池厂家而言,需要对产线上的设备大面积进行更换。

  锂电池制造工艺

  前中后三道工序,占比接近35%/30%/35%

  锂电池的生产工艺比较复杂,主要生产工艺流程主要涵盖电极制作的搅拌涂布阶段(前段)、电芯合成的卷绕注液阶段(中段),以及化成封装的包装检测阶段(后段),价值量(采购金额)占比约为(35~40%):(30~35)%:(30~35)%。差异主要来自于设备供应商不同、进口/国产比例差异等,工艺流程基本一致,价值量占比有偏差但总体符合该比例。

  锂电生产前段工序对应的锂电设备主要包括真空搅拌机、涂布机、辊压机等;中段工序主要包括模切机、卷绕机、叠片机、

  请问立体停车库是如何制造的,生产工艺流程图??谢谢

  立体车库分几种,国内大多是多层平移式的。主要有钢架、车台板、传动系统、PLC控制系统这么几部分组成。在工厂里就是将这些大的零部件按图纸焊接和加工好,然后运到业主工地上现场组装、调试。按设计图纸施工,没工艺流程图

  主要是了解图纸

  液晶显示器生产工艺流程?

  1.液晶显示器的结构

  一般地,TFT-LCD由上基板组件、下基板组件、液晶、驱动电路单元、背光灯模组和其他附件组成,其中:下基板组件主要包括下玻璃基板和TFT阵列,而上基板组件由上玻璃基板、偏振板及覆于上玻璃基板的膜结构,液晶填充于上、下基板形成的空隙内。图1.1显示了彩色TFT-LCD的典型结构, 图1.2图进一步显示了背光灯模组与驱动电路单元的结构。

  在下玻璃基板的内侧面上,布满了一系列与显示器像素点对应的导电玻璃微板、TFT半导体开关器件以及连接半导体开关器件的纵横线,它们均由光刻、刻蚀等微电子制造工艺形成,其中每一像素的TFT半导体器件的剖面结构如图1.3所示。

  在上玻璃基板的内侧面上,敷有一层透明的导电玻璃板,一般为氧化铟锡(Indium Tin Oxide, 简称ITO)材料制成,它作为公共电极与下基板上的众多导电微板形成一系列电场。如图1.4所示。若LCD为彩色,则在公共导电板与玻璃基板之间布满了三基色(红、绿、蓝)滤光单元和黑点,其中黑点的作用是阻止光线从像素点之间的缝隙泄露,它由不透光材料制成,由于呈矩阵状分布,故称黑点矩阵(Black matrix)。

  2 液晶显示器的制造工艺流程

  彩色TFT-LCD制造工艺流程主要包含4个子流程:TFT加工工艺(TFT process)、彩色滤光器加工工艺(Color filter process)、单元装配工艺(Cell process)和模块装配工艺(Module process)[1][2]。各工艺子流程之间的关系如图2.1所示。

  图2.1 彩色TFT-LCD加工工艺流程

  2.1TFT加工工艺(TFT process)

  TFT加工工艺的作用是在下玻璃基板上形成TFT和电极阵列。针对图1.3所示TFT和电极层状结构,通常采用五掩膜工艺,即利用5块掩膜,通过5道相同的图形转移工艺,完成如图1.3TFT层状结构的加工[2],各道图形转移工艺的加工结果如图2.2所示。

  (a)第1道图形转移工艺 (b) 第2道图形转移工艺 (c) 第3道图形转移工艺

  (d) 第4道图形转移工艺 (e) 第5道图形转移工艺

  图2.2 各道图形转移工艺的加工结果

  图形转移积工艺由淀积、光刻、刻蚀、清洗、检测等工序构成,其具体流程如下[1]:

  开始

  多晶硅生产工艺流程

  1)石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅,

  其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑

  (2)为了满足高纯度的需要,必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中,生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3)。

  其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑

  反应温度为300度,该反应是放热的。同时形成气态混合物(Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si)。

  (3)第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯,需要分解:过滤硅粉,冷凝SiНС13,SiC14,而气态Н2,НС1返回到反应中或排放到大气中。然后分解冷凝物SiНС13,SiC14,净化三氯氢硅(多级精馏)。

  (4)净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺,以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。

  其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl。

  多晶硅的反应容器为密封的,用电加热硅池硅棒(直径5-10毫米,长度1.5-2米,数量80根),在1050-1100度在棒上生长多晶硅,直径可达到150-200毫米。

  这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应,并生成多晶硅。剩余部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离,或再利用,或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的,从某种程度上决定了多晶硅的成本和该3工艺的竞争力。

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